三星电子平泽园区产能追踪：从存储基地到AI芯片制造枢纽
写在前面（全文约2500字）
平泽园区，这座占地289万平方米的半导体综合体，正在成为三星电子应对AI时代竞争的重要制造基地。从2017年P1投产至今，这个位于韩国京畿道的产业基地已建成P1-P4四座晶圆厂，P5正在推进建设。
2026年第一季度，三星电子半导体部门（DS）营收达到81.7万亿韩元，经营利润53.7万亿韩元，同比增长756%。其中，平泽园区作为三星先进存储产能的重要组成部分，是这一轮AI存储需求增长的重要支撑。
本文将从产能布局、技术路线和竞争格局三个维度，分析平泽园区从传统存储基地向“存储+逻辑制造”综合枢纽转型的路径。
一、三星规模最大的半导体制造基地
平泽园区占地约289万平方米，按照P1-P6规划建设，目前P1-P4已投产或进入运营阶段，P5正在建设，P6作为未来扩展空间预留。
自2015年P1启动建设以来，平泽已从早期NAND闪存生产基地，逐步发展为覆盖DRAM、NAND及晶圆代工业务的综合性半导体制造基地。
| | | | | | | |------|-------------|----------------|-------------------|-------------------------|--------------| | 工厂 | 启动/投产 | 结构 | 洁净室 | 主要产品 | 预计投资规模 | | P1 | 2015/2017 | 双晶圆厂 | 4个 | 4代V-NAND | 约16万亿韩元 | | P2 | 2018/2020 | 双晶圆厂 | 4个 | 10nm级DRAM/V-NAND | 约20万亿韩元 | | P3 | 2020/2022 | 双晶圆厂 | 4个 | EUV制造/DRAM+NAND | 约30万亿韩元 | | P4 | 2022/2024起 | 双晶圆厂 | 4个 | 1c DRAM(HBM4)/V9 NAND | 约50万亿韩元 | | P5 | 2023/2028E | 三层高集成厂房 | 6个（据韩媒推测） | 1c DRAM/HBM4/(代工评估) | 约60万亿韩元 |
注：投资数据综合Blackridge Research、Seoul Economic Daily、Asia Economy Daily等多家行业研究汇编；其中P3 30万亿韩元（约220亿美元）对应Blackridge Research披露的US$22B项目投资；P4 50万亿韩元源自Seoul Economic Daily；P5 60万亿韩元源自Asia Economy Daily。各厂投资额为综合估算，非三星官方逐厂披露数据。
三星平泽园区P1-P5月产能与投资额概览
三星电子平泽园区卫星影像图（标注P1-P6各厂区位置，P5在建、P6预留地块）
参考来源： https://www.blackridgeresearch.com/blog/biggest-largest-list-of-semiconductor-fabs-fabrication-plants-projects-in-the-world/ https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-announces-first-quarter-2026-results https://www.theinvestor.co.kr/article/10524009 https://www.asiae.co.kr/en/article/2026020509440178925
二、P1-P3：平泽存储产能基础
P1是平泽园区最早投产的晶圆厂，于2017年正式运营，初期主要承担V-NAND闪存生产任务。随着AI服务器和高性能计算需求增长，三星近年来持续调整存储产能结构，部分产线逐步向DRAM等高附加值产品倾斜。
P2于2020年投产，主要生产10nm级DRAM和V-NAND，是三星先进存储制造的重要基地。
P3于2022年投产，配备EUV制造能力，可支持DRAM、NAND及部分先进制造需求，是平泽园区向综合型半导体基地发展的关键节点。 
三星电子平泽园区P1-P3厂区实景图（来源：韩国联合通讯社 Yonhap）
参考来源： https://www.semiconductorx.com/spotlight-samsuing-semiconductor.html
三、P4：三星HBM4产能转型的关键节点
P4总投资约50万亿韩元，按照PH1-PH4阶段推进建设。该项目早期规划以NAND产能为主，但随着AI服务器需求增长和HBM市场快速扩张，三星逐步调整产线规划，增加DRAM相关产能布局。
2026年，三星宣布启动HBM4产品销售，并积极争取进入下一代AI计算平台供应链。相比上一代HBM3E，HBM4在带宽、容量和能效方面进一步提升。
P4被视为三星扩大先进DRAM产能、支持HBM发展的重要基地。据行业机构预测，三星计划提升1c DRAM产能，以满足AI服务器对高性能存储的需求。
需要注意的是，HBM并非单一晶圆制造产品，其完整供应链还包括TSV互联、堆叠封装和测试等环节。平泽主要承担前端DRAM晶圆制造，是HBM供应链的重要组成部分。 
三星电子平泽园区P4厂建设（图片来源：韩国《Money Today》）
三星1c DRAM月产能爬坡计划及HBM4分配
三星HBM4性能提升：从DRAM堆叠到AI存储效率优化（图片来源：Samsung Semiconductor Global Newsroom）
参考来源： https://www.theinvestor.co.kr/article/10672080 https://www.trendforce.com/news/2025/11/19/news-samsung-reportedly-plans-200k-1c-dram-wafersmonth-by-2026-about-one-third-of-its-total-output/ https://www.smyg.hk/news/details/46653 https://www.c114pro.com/chipnews/157593.html
四、P5：三星未来半导体制造平台
P5是平泽园区后续扩产的重要项目，预计投资规模约60万亿韩元。与P1-P4采用的传统双厂结构不同，P5规划采用更高集成度的三层厂房设计，以提升空间利用效率和产能扩展能力。
根据韩国媒体报道，P5未来可能根据市场需求灵活配置DRAM、NAND及逻辑制造产能，但具体产品布局尚未由三星官方完全确认。
平泽园区厂房结构升级对比
P5建设经历了明显调整。项目于2023年启动，随后受存储市场周期影响放缓，并在AI服务器需求增长背景下重新推进。
目前，P5一期正在推进设备导入准备，目标于2027年前后进入设备安装和产能爬坡阶段。随着建设恢复，相关设备采购和基础设施投资也将同步展开。 
三星电子平泽P5建设现场（来源：韩国《首尔经济日报》） 
三星平泽P5建设进度遥感监测（2026年6月28日，建设中）
参考来源： https://www.asiae.co.kr/en/article/2026020509440178925 https://cj.sina.com.cn/article/norm_detail?url=https://finance.sina.com.cn/jjxw/2026-07-15/doc-inihwvxa1181669.shtml https://www.ictrade.cn/news/article-details/2544074 <https://www.memorymarket.com/a/14857>
https://en.sedaily.com/finance/2026/04/23/samsung-accelerates-p4-full-operation-by-six-months-to
五、晶圆代工：三星的第二增长曲线挑战
三星是全球首批实现3nm GAA量产的晶圆代工企业之一，但先进制程良率、客户生态和规模效应仍是其追赶台积电的主要挑战。
根据TrendForce数据，2026年Q1三星Foundry市场份额约为6.5%，台积电约72%，中芯国际约5.1%。
需要注意的是，三星同时拥有存储、逻辑芯片设计和制造业务，是典型IDM企业，其内部晶圆制造能力并不能完全通过Foundry市场排名体现。
全球晶圆代工市占率变化（2021-2026Q1）
三星代工业务的一个潜在优势，是能够依托内部制造体系支持HBM相关逻辑基片（Base Die）开发。不过，三星Foundry当前面临的核心挑战并非单纯产能不足，而是先进制程良率、客户生态以及先进封装协同能力。
SF2等先进工艺的良率提升，将直接影响三星未来能否扩大AI芯片代工业务。
参考来源： https://ctimes.com.tw/DispArt/tw/26061515274S.shtml https://www.expreview.com/104884.html https://www.semiconductorx.com/spotlight-samsuing-semiconductor.html
六、HBM4竞争：三星能否缩小与SK海力士差距？
在HBM3E时代，SK海力士凭借与英伟达的长期合作关系，占据市场领先位置，三星则处于追赶阶段。
进入HBM4时代，三星的优势主要来自三个方面：一是全球领先的DRAM制造规模；二是具备内部Foundry能力，可参与Base Die制造；三是P4、P5等新产能扩张项目有望提升高端存储供应能力。
不过，SK海力士在HBM领域积累的客户认证经验和供应链关系仍构成明显优势。据SemiAnalysis预测，HBM4初期市场竞争格局中，SK海力士仍可能保持领先。
三星 vs SK海力士 HBM4竞争对比图
参考来源： https://www.jwview.com/jingwei/html/m/04-08/666294.shtml https://www.21jingji.com/article/20260503/herald/6aec5d2bcfec9f18a91f8ab64f0ecff2.html
七、AI存储周期：平泽园区的商业价值
2026年Q1，三星电子受AI服务器需求增长推动，半导体业务表现强劲。公司整体营收达到133.9万亿韩元，其中DS部门营收81.7万亿韩元、经营利润53.7万亿韩元，成为集团利润增长的重要来源。
业绩增长主要来自AI服务器相关存储需求：一方面，HBM销售快速增长，成为三星存储业务的重要增长点；另一方面，DRAM和NAND价格回升，改善了存储业务盈利能力。三星预计，2026年HBM销售规模将继续保持高速增长。
由于先进DRAM和HBM扩产周期较长，市场机构普遍认为，AI存储供应紧张状态可能持续至2027年前后。
三星AI存储周期与平泽产能价值
参考来源： https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-announces-first-quarter-2026-results
结论与展望
1）平泽园区正在从传统存储基地向“存储+逻辑制造平台”转型，P4、P5扩产将进一步强化三星在AI存储领域的制造能力。
2）HBM4竞争将成为三星未来几年存储业务的重要战场。P4先进DRAM产能扩张，是其提升供应能力的关键。
3）三星Foundry业务仍面临良率、客户生态和先进封装协同等挑战，能否形成第二增长曲线仍需观察。
4）随着AI服务器需求持续增长，平泽与龙仁半导体集群将共同构成三星下一阶段半导体制造布局。
平泽不仅是一座晶圆厂，更是三星应对AI时代产业竞争的重要制造平台。
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—— 转载自 SpaceMV问道公众号，署名：SpaceMV问道